Ratuj Głuszca
ścisk

Tworzenie nowych egzotycznych połączeń różnych materiałów wcale nie będzie potrzebne do zwiększenia mobilności elektronów w krzemie. Szwajcarsko-francuski zespół naukowców wykazał, że poddanie krzemu typu p większemu naciskowi przyspiesza elektrony.

Obecnie wykorzystuje się wysokie ciśnienie podczas produkcji tranzystorów n i p do zwiększenia mobilności dziur i elektronów. Jednak uczeni sądzili, że osiągnięto limit ich przyspieszania. Przewodnictwo tranzystorów n osiąga maksymalną wartość (saturację) przy takim nacisku, który zwiększa mobilność elektronów o 45%. Teraz jednak naukowcy z CNRS, Ecole Polytechnique, Institut d’Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie i z Uniwersytetu w Genewie odkryli, że w przypadku tranzystorów p dalsze zwiększenie nacisku przy ich wytwarzaniu prowadzi do zwiększenia mobilności elektronów. Nawet przy nacisku rzędu 3 GPa nie stwierdzono, by osiągnięto punkt maksymalnej saturacji.

Dotychczasowe teoretyczne przewidywania wskazywały, że maksymalną mobilność osiągnie się przy nacisku około 1 gigapaskala. Przemysł półprzewodnikowi stosuje zatem technologię, która pozwala na poddanie krzemu takiemu ciśnieniu. Teraz okazuje się, że warto przeprowadzić tego typu badania i zastanowić się nad zmianą technologii.

Źródło: kopalniawiedzy.pl

Wypowiedz się

Musiszsię zalogować aby dodać komentarz.