Ratuj Głuszca
brak-podgladu-600

Dzięki najnowszej technologii Floating Body Point pamięć cache w procesorach Intela będzie tworzona z jednego a nie jak dotychczas z aż sześciu tranzystorów. Pozwoli to na znaczne zwiększenie pojemności cache przy jednoczesnym obniżeniu kosztów produkcji.

Na przestrzeni kolejnych generacji procesorów, Intel sukcesywnie powiększał ilość pamięci podręcznej w swoich układach. W kolejnej architekturze trend ten będzie nadal się utrzymywał, a dzięki o wiele mniejszemu wymiarowi technologicznemu 22 nm nowe procesory pomieszczą znacznie większa ilość cache.

 

Pamięć podręczna obecnie zajmuje większość powierzchni jądra procesora, dlatego powiększenie jej pojemności możliwe jest jedynie poprzez wzrost fizycznych rozmiarów układu. Intel zamiast w nieskończoność dążyć tą drogą znalazł nowy sposób na upchnięcie większej ilości cache na tej samej powierzchni. Obecne komórki pamięci SRAM składające się z 6 tranzystorów każdy firma Intel zamierza zastąpić i najnowszymi układami pamięci o nazwie Floating Body Cell, opartymi na technologii 22 nm.

 

Obecnie firma zajmuje się testowaniem układów FBC, produkując je na tych samych waflach krzemowych co procesory. Jest to duża zmiana, bowiem poprzednie układy pamięci podręcznej bazowały na technologii SOI, która jest bardziej kosztowna w produkcji.

 

Nie wiadomo kiedy pojawią się pierwsze procesory z pamięcią podręczną FBC, jednak z pewnością nie będą to układy oparte na architekturze Sandy Bridge.

 

Źródło: XbitLabs

Wypowiedz się

Musiszsię zalogować aby dodać komentarz.